[14p-2Q-1~16] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

[14p-2Q-4] Stable formation of vertical InP nanowires on Si with study of initial growth sequences

〇Kenichi Kawaguchi¹, Hisao Sudo², Manabu Matsuda², Kazuya Takemoto², Tsuyoshi Yamamoto², Yasuhiko Arakawa^1,3 (1.NanoQuine, Univ. of Tokyo, 2.Fujitsu Labs., 3.IIS, Univ. of Tokyo)

Keywords:nanowire,III-V on Si

我々は、Siパターン基板上でのInP系ナノワイヤの研究開発を行っている。今回、直立ナノワイヤの安定形成に向けて成長初期シーケンスを検討した。TMInプリフローとIn自己触媒形成工程からなる初期シーケンスが、直立ナノワイヤのVLS成長に寄与することを確認した。さらに、この直立InPナノワイヤをコアとした径方向InP/InAsP/InP量子井戸ナノワイヤより、近赤外応用として汎用性の高い波長1.3 μm帯をカバーするヘテロナノワイヤが得られた。