[14p-2Q-1~16] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

△ [14p-2Q-6] Observation of cavity modes in GaAs/AlGaAs nanowires embedding
InAs quantum dots directly grown on Si(100)

〇(P)JINKWAN KWOEN¹, Jinfa Ho², Katsuyuki Watanabe², Satoshi Iwamoto^1,2, Yasuhiko Arakawa^1,2 (1.NanoQuine, U. Tokyo, 2.IIS, U. Tokyo)

Keywords:nanowire,quantum dot,MBE

III-V族化合物半導体ナノワイヤはその特徴的な構造に起因する光物性のため、レーザとして盛んに応用されてきた。しかし、シリコン (100) 上に形成された GaAs ナノワイヤは基板との屈折率差が小さく、接触角度が約 19.7 度であるため、光共振器として利用することは困難であった。今回、我々は InAs 量子ドットを含めた AlGaAs/GaAs のナノワイヤ構造を分子線エピタキシー(MBE) 法を用いてシリコン (100) 基板上に作製し、共振器モードの存在を確認することに成功したので報告する。