[14p-2Q-1~16] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

△ [14p-2Q-6] シリコン(100)基板上に直接形成された InAs 量子ドットを含む
GaAs/AlGaAs ナノワイヤにおける共振器モードの観測

〇(P)權 晋寛¹、Ho Jinfa²、渡邉 克之²、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子、2.東大生研)

キーワード：ナノワイヤ、量子ドット、分子線エピタキシー

III-V族化合物半導体ナノワイヤはその特徴的な構造に起因する光物性のため、レーザとして盛んに応用されてきた。しかし、シリコン (100) 上に形成された GaAs ナノワイヤは基板との屈折率差が小さく、接触角度が約 19.7 度であるため、光共振器として利用することは困難であった。今回、我々は InAs 量子ドットを含めた AlGaAs/GaAs のナノワイヤ構造を分子線エピタキシー(MBE) 法を用いてシリコン (100) 基板上に作製し、共振器モードの存在を確認することに成功したので報告する。