13:45 〜 14:00
[14p-2R-1] ナノギャップ電極を用いたGeTe薄膜における抵抗スイッチング現象
キーワード：抵抗変化、ナノギャップ電極
講演情報
一般セッション(口頭講演)
16 非晶質・微結晶 » 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス
[14p-2R-1~16] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス
2015年9月14日(月) 13:45 〜 18:00 2R (231-2)
座長:前田 幸治(宮崎大),内野 隆司(神戸大),正井 博和(京大)
一般セッション(口頭講演)
16 非晶質・微結晶 » 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス
2015年9月14日(月) 13:45 〜 18:00 2R (231-2)
座長:前田 幸治(宮崎大),内野 隆司(神戸大),正井 博和(京大)
13:45 〜 14:00
キーワード：抵抗変化、ナノギャップ電極