[14p-2R-1~16] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[14p-2R-3] GeTe-CuTe 擬二元系薄膜の相変化挙動

〇須藤 祐司¹、齊藤 雄太²、進藤 怜史¹、小池 純一¹ (1.東北大工、2.産総研)

キーワード：相変化メモリ、アモルファス、結晶化

次世代不揮発性メモリとして、相変化型メモリ(PCRAM)が注目されている。我々は新規PCRAM材料として、GeCu₂Te₃(GCT)を提案している。本研究では、GCT組成を含むGeTe-CuTe擬二元系薄膜の相変化挙動を調査した。その結果、Cu濃度の増加に従って、アモルファス⇒結晶相変化に伴う密度変化が小さくなり、22～23at.%Cu組成辺りで相変化に伴う密度変化が0になることが分かった。