[14p-2R-1~16] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[14p-2R-4] Contact resistivity change by phase transition of GeCu₂Te₃ to W electrode

〇Satoshi Shindo¹, Yuji Sutou¹, Junichi Koike¹, Yuta Saito² (1.Tohoku Univ., 2.AIST)

Keywords:phase change material,contact resistivity,GeCu2Te3

我々のグループは優れた熱的安定性を有する新規相変化材料GeCu₂Te₃(GCT)を見出し、相変化メモリへの応用を目指して研究を進めている。近年、相変化メモリの微細化に従ってその抵抗値は界面接触抵抗に支配される事が分かってきた。本研究では、W / GCTの界面接触抵抗率ρ_cをCTLMを用いて調査した。W/アモルファス相GCTのρ_cは3.9×10^-2 Ω cm²で、W/結晶相GCTのρ_cは4.8×10^-2 Ω cm²であった。得られた結果から微細化したメモリセルの抵抗値を計算し、その影響を考察した。