[14p-2R-1~16] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[14p-2R-4] W電極上のGeCu₂Te₃の相変態に伴う界面接触抵抗変化

〇進藤 怜史¹、須藤 祐司¹、小池 淳一¹、齊藤 雄太² (1.東北大工、2.産総研)

キーワード：相変化材料、界面接触抵抗率、GeCu2Te3

我々のグループは優れた熱的安定性を有する新規相変化材料GeCu₂Te₃(GCT)を見出し、相変化メモリへの応用を目指して研究を進めている。近年、相変化メモリの微細化に従ってその抵抗値は界面接触抵抗に支配される事が分かってきた。本研究では、W / GCTの界面接触抵抗率ρ_cをCTLMを用いて調査した。W/アモルファス相GCTのρ_cは3.9×10^-2 Ω cm²で、W/結晶相GCTのρ_cは4.8×10^-2 Ω cm²であった。得られた結果から微細化したメモリセルの抵抗値を計算し、その影響を考察した。