[14p-2T-15~20] 17.2 構造制御・プロセス

[14p-2T-16] Ni細線上へのグラフェン選択形成条件の検討

〇斎藤 達朗¹、西出 大亮²、磯林 厚伸¹、伊東 伴³、石倉 太志¹、佐久間 尚志¹、酒井 忠司¹、梶田 明広¹ (1.東芝、2.東京エレクトロン、3.荏原製作所)

キーワード：半導体、配線、グラフェン

半導体デバイスの微細配線としては主に銅のダマシン配線が用いられるが、次世代のデバイスでは細線効果により電気抵抗率の急激な上昇が予想され、配線材料の代替が検討されている。我々は微細幅での低抵抗材料としてグラフェンの適用を目指し、Ni触媒をダマシン構造に形成しCarbon-CVD（C-CVD）法を用いてNi触媒上に選択的にグラフェンを形成する手法を提案している。今回、Ni成膜条件、C-CVDの条件によるグラフェン配線構造の変化を調べた。