[14p-2T-15~20] 17.2 構造制御・プロセス

[14p-2T-18] SiCファセット上のグラフェン横方向超格子の形成と物性（１）

〇田中 悟¹、福間 洸平¹、林 真吾¹、梶原 隆司¹、Visikovskiy Anton¹、飯盛 拓嗣²、家永 紘一郎²、矢治 光一郎²、中辻 寛²、小森 文夫²、田中 宏和³、神田 晶申³、Cuong Nguyen Thanh⁴、岡田 晋³ (1.九大院工、2.東大物性研、3.筑波大院数理、4.物材機構)

キーワード：グラフェンナノ構造、超格子、バリスティック伝導

グラフェンの電子デバイス応用には，バンドギャップ付与と高移動度の実現が必須となるが，ナノ構造化によって実現可能である．今回微傾斜SiC基板のマクロステップバンチング現象を利用し，そのファセット上にナノメートルオーダーのグラフェン周期構造（横方向超格子）が形成されることを見出した．横方向超格子には，角度分解光電子分光(ARPES)と伝導測定によって，バンドギャップが形成され，かつバリスティックな電子伝導が生じていることを示唆する結果を得たので報告する．