The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

Presentation information

Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.1 Growth technology

[14p-2T-1~14] 17.1 Growth technology

Mon. Sep 14, 2015 1:45 PM - 5:30 PM 2T (232)

座長:藤井 健志(富士電機),前橋 兼三(農工大)

2:30 PM - 2:45 PM

[14p-2T-4] Theoretical study of multiatomic vacancies in single layer h-BN

〇Syu Urasaki1, Kageshima Hiroyuki1 (1.Shimane Univ.)

Keywords:BN,vacancy,first-principles calculation

単層h-BNにおける多原子空孔について,形成エネルギーの電子化学ポテンシャル依存性を第一原理計算によって解析した.その結果,これまで検討がなされなかった多原子空孔についても過去の計算による研究やTEMの観察結果と同様の依存性を持つことが判明した.さらに電子化学ポテンシャルの変化に伴う構造の変化と電子状態の変化を詳細に解析し,これらが形成エネルギーの変化と密接に関連していることを確認した.