2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.1 成長技術

[14p-2T-1~14] 17.1 成長技術

2015年9月14日(月) 13:45 〜 17:30 2T (232)

座長:藤井 健志(富士電機),前橋 兼三(農工大)

14:30 〜 14:45

[14p-2T-4] 単層h-BNにおける多原子空孔の研究

〇浦崎 柊1、影島 博之1 (1.島根大総合理工)

キーワード:窒化ホウ素、原子空孔、第一原理計算

単層h-BNにおける多原子空孔について,形成エネルギーの電子化学ポテンシャル依存性を第一原理計算によって解析した.その結果,これまで検討がなされなかった多原子空孔についても過去の計算による研究やTEMの観察結果と同様の依存性を持つことが判明した.さらに電子化学ポテンシャルの変化に伴う構造の変化と電子状態の変化を詳細に解析し,これらが形成エネルギーの変化と密接に関連していることを確認した.