[14p-2U-1~11] 17.4 デバイス応用

△ [14p-2U-5] カーボンナノチューブ間の接触抵抗

〇(D)稲葉 優文¹、李 智宇¹、鈴木 和真¹、平野 優¹、費 文茜¹、乗松 航²、楠 美智子²、川原田 洋¹ (1.早大先進理工、2.名大エコトピア研)

キーワード：カーボンナノチューブ、接触抵抗、トンネル

カーボンナノチューブ（CNT）どうしの接触抵抗は、CNTをチャネルに分散した薄膜トランジスタ、CNT撚糸などの電気応用において非常に重要である。これまで我々は、シリコンカーバイド(SiC)の表面分解法により形成されるカーボンナノチューブフォレスト(CNTs on SiC)に関する電気特性を評価してきた。今回、これまでに報告した、半絶縁性SiC基板上に形成した稠密なCNTフォレストの面内方向伝導性を利用し、CNT/CNT間の接触抵抗を評価した。