[14p-2W-1~10] 15.3 III-V-group epitaxial crystals

[14p-2W-10] Growth of InAs/InAlGaAs quantum rods on InP(100) substrate

〇Masato Ohmori¹, Takeshi Noda², Tomoya Kojima¹, Kazuya Sugimura¹, Pavel Vitushinskiy¹, Naotaka Iwata¹, Hiroyuki Sakaki^1,2 (1.Toyota Tech. Inst., 2.NIMS)

Keywords:quantum rod,quantum dot,molecular beam epitaxy

InAs量子ドットを数原子層のスペーサを介して多数積層させると、ドットが成長方向に結合したロッド状のナノ構造が形成される。これまでInP(100)基板において、MBE法で堆積したInAs層の形状はドット状ではなく面内に長いワイヤー状となるため、理想的な円柱状のロッド形成は極めて困難であった。本研究では、InAl(Ga)As層上でもドット状の形状となるGaSbを種ドット層として用いる手法により、円柱状のInAs量子ロッドの形成に成功した。