[14p-2W-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14p-2W-10] InP(100)基板上におけるInAs/InAlGaAs量子ロッド構造の形成

〇大森 雅登¹、野田 武司²、小嶋 友也¹、杉村 和哉¹、Vitushinskiy Pavel¹、岩田 直高¹、榊 裕之^1,2 (1.豊田工大、2.物材研)

キーワード：量子ロッド、量子ドット、分子線エピタキシー

InAs量子ドットを数原子層のスペーサを介して多数積層させると、ドットが成長方向に結合したロッド状のナノ構造が形成される。これまでInP(100)基板において、MBE法で堆積したInAs層の形状はドット状ではなく面内に長いワイヤー状となるため、理想的な円柱状のロッド形成は極めて困難であった。本研究では、InAl(Ga)As層上でもドット状の形状となるGaSbを種ドット層として用いる手法により、円柱状のInAs量子ロッドの形成に成功した。