[14p-2W-11~16] 15.7 エピタキシーの基礎

[14p-2W-11] In断続供給によるInAs量子ドット形成過程のSTMBE観察

〇東條 孝志^1,2、山口 浩一²、塚本 史郎¹ (1.阿南高専、2.電通大)

キーワード：量子ドット

次世代デバイスへの応用が期待されている量子ドット形成プロセスを調べるために, InAs連続供給中の二次元島構造変化や量子ドット形成についてSTMBE観察を行ってきた. しかし, 成長速度が速く同一箇所を継続して観察することができなかったため, 前回, 一回あたりの供給量を下げた断続供給により同一箇所の成長比較を行った. 今回その結果を供給毎に分けて詳細に解析を行った結果を報告する.