[14p-2W-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14p-2W-2] GaAs(111)A基板上の高対称性量子ドットLEDの作製

〇間野 高明¹、黒田 隆¹、ハ ヌル¹、野田 武司¹、佐久間 芳樹¹、迫田 和彰¹ (1.物材機構)

キーワード：量子ドット、分子線エピタキシー、もつれ合い光子

半導体量子ドットを用いた量子もつれ光子対源は、量子計算や量子暗号デバイスへの応用や量子ドットの基礎光物性の探索などを目的としてこれまで精力的な研究が行われてきた。我々のグループでは、液滴エピタキシー法によりGaAs (111)A基板上に極めて高い面内対称性を有するGaAs量子ドットの自己形成に成功し、世界最高レベルの忠実度を示す量子もつれ光子対が得られる事を報告してきた。従来は光励起を用いていたが、実用性を高めていくためには電流駆動による励起が望まれる。本研究では、両性不純物であるシリコン（Si）を使い、GaAs(111)A基板上のGaAsとAlGaAsに対してn型およびp型のドーピング条件を見出して量子ドットLEDを作製し、明瞭な電流駆動発光（EL）を観察したので報告する。