[14p-4E-1~21] 7.6 イオンビーム一般

[14p-4E-15] ナノ突起構造体の電界電離Heイオン電流に及ぼす影響

〇永井 滋一¹、加藤 習¹、岩田 達夫¹、梶原 和夫¹、畑 浩一¹ (1.三重大院工)

キーワード：電界電離型ガスイオン源

電界電離型ガスイオン源（GFIS）は高輝度イオン源であるが，放射角電流密度dI/dΩが小さいので，イオンビーム開き角を制限し，かつ放出電流を可能な限り増強させる必要がある．本研究では，放出電流量の増強を目的に，改良した電界誘起酸素エッチング法によって作製されたナノ突起構造体の高さ，および原子配列の電界電離イオン電流に及ぼす影響について検討した．