[14p-4F-1~8] 誘電体・強誘電体材料およびデバイスの新展開を求めて

[14p-4F-2] 強誘電体薄膜キャパシタの分子動力学シミュレーション

〇西松 毅¹、Waghmare Umesh V.²、久保 百司¹ (1.東北大金研、2.インドJNCASR)

キーワード：分子動力学シミュレーション、不揮発性強誘電体メモリー、フリーソフトウェア

われわれは強誘電体に特化した分子動力学シミュレーションのプログラムを独自に開発しフリーソフトウェアとして http://loto.sourceforge.net/feram/ から公開してきた．電極による薄膜表面電荷の遮蔽の完全／不完全が強誘電体薄膜キャパシタのヒステリシスループの形状を，特に膜厚が薄いほど，大きく変えることを明らかにしてきた [PRB 78, 104104 (2008)]．今回，その温度・膜厚・電極依存性についてより詳細に行ったシミュレーションの結果を紹介する．また，強誘電体の焦電効果や電気熱量効果，さらに弾性熱量効果のシミュレーションについても紹介する．