[14p-CE-1~4] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-CE-2] Observation of initial strain in MBE-grown GaN by in situ synchrotron X-ray diffraction

〇Takuo Sasaki¹, Ryota Deki², Masamitu Takahasi^1,2 (1.JAEA, 2.Univ. Hyogo)

Keywords:gallium nitride,molecular beam epitaxy,x-ray diffraction

窒化ガリウム（GaN）の初期成長ひずみは、結晶成長メカニズムの理解だけでなく、各種光・電子デバイスの構造設計のための基本情報となる。本研究はGaNの初期成長ひずみを縦横の格子定数から正確に測定するため、放射光を用いたその場X線回折を実施した。その結果、初期成長における格子定数の変化は面内方向に比べ、面内垂直方向で著しく、ポアソン比で決まる従来の弾性変形とは異なる挙動を示すことを見いだした。