[14p-PA13-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-PA13-7] VO₂/Ti/Si点接触積層型デバイスにおける自励発振現象のパラメータ依存性

〇(D)モハメッド シュルズ¹、沖村 邦雄¹、坂井 穣² (1.東海大院理工、2.トゥール大)

キーワード：二酸化バナジウム(VO2)、積層方向スイッチング、自励発振

相転移二酸化バナジウム(VO₂)の点接触積層型デバイス構造(VO₂/TiN/Si)においてMHz帯発振周波数を実現した．今回はVO₂/Ti/Si積層型構造において発振周波数の重要なパラメータとなる接触プローブの先端径及びスイッチングのヒステリシス幅への依存性について報告する．プローブ径が小さい程周波数が高くなり,ヒステリシス幅が小さくなるにつれ周波数が顕著に高くなり,周波数がいずれのパラメータにも強く依存していることが分かった．