[14p-PA13-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-PA13-9] 混合原子価状態を持つb軸配向したVO₂薄膜の構造・電気特性

末次 高明¹、〇樋口 透¹、土屋 敬志¹、小林 正起²、組頭 広志² (1.東理大理、2.高エネ研)

キーワード：酸化バナジウム、金属-絶縁体転移

b軸配向したVO₂薄膜を酸素ラジカルを用いたスパッタ法にて作製し，金属-絶縁体(M-I)転移における価数状態の影響を電子構造・電気特性の観点で研究した。格子定数・酸素欠陥量・V価数状態は膜厚に依存する。これらの変化は、M-I転移の挙動に強く影響する。