[14p-PA14-1~4] 6.5 表面物理・真空

[14p-PA14-4] Al/Si(111)-\sqrt{3}×\sqrt{3}表面再構成構造上GaSb初期成長過程の温度依存性

〇緒方 悟公¹、町田 龍人¹、石井 達也¹、藤川 紗千恵¹、原 紳介²、色川 勝己¹、三木 裕文¹、河津 璋³、藤代 博記¹ (1.東理大、2.情通機構、3.電機大)

キーワード：Si(111)、GaSb、走査型トンネル顕微鏡