2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

3 光・フォトニクス » 3.5 レーザー装置・材料

[14p-PA2-1~5] 3.5 レーザー装置・材料

3.5と3.14のコードシェアセッションあり

2015年9月14日(月) 13:30 〜 15:30 PA2 (イベントホール)

13:30 〜 15:30

[14p-PA2-5] 1 MW Peak Power Passively Q-switched Composite Sapphire/Nd:YVO4 Microchip Laser

〇(D)Arvydas Kausas1, Takunori Taira1 (1.IMS)

キーワード:Passively Q-switched laser,Emission cross-section,Composite crystal

In this work the energy of a composite passively Q-switched Sapphire/Nd:YVO4 was increased from 100 μJ up to 1 mJ by heating the gain crystal from 30 C up to 190 C. This increase in output energy is due to emission cross-section dependence on temperature. Also the peak power of this laser achieved 1MW of peak power.