[14p-PA8-1~3] 3.13 半導体光デバイス

[14p-PA8-2] InAs/InP ダブルキャップ量子ドットレーザの閾値電流密度共振器長依存性

〇(M1)西山 哲央¹、鋤柄 俊樹¹、鎌田 直樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：量子ドット、共振器長、レーザ