[14p-PA9-1~14] 6.2 Carbon-based thin films

△ [14p-PA9-1] EBIC evaluation of electric field enhancement on diamond SBD

〇(D)Hiroki Gima^1,3, Hitoshi Umezawa^2,3,4, Khaled Driche^3,4, Yukako Kato², Yoshiaki Mokuno², Fabrice Donatini^3,4, Etienne Gheereart^3,4, Tsuyoshi Yoshitake¹ (1.Kyushu Univ., 2.AIST, 3.CNRS, Inst. NEEL, 4.Univ. Grenoble Alpes, Inst. NEEL)

Keywords:EBIC,diamond SBD

これまでにダイヤモンドショットキーバリアダイオード(SBD)において絶縁破壊電界3.1 MV/cmが報告されているが，これは理論値の半分以下である．これは主に，欠陥による漏れ電流増大か電界集中によるものと考えられている．デバイス応用の観点から，動作時の電界分布の視覚化および定量化は非常に重要である．したがって，本稿ではEBICによるダイヤモンドSBD逆方向特性における電界分布のその場観察を試みた．