[14p-PA9-1~14] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14p-PA9-1] EBICによるダイヤモンドSBDの電界集中効果の評価

〇(D)儀間 弘樹^1,3、梅沢 仁^2,3,4、Driche Khaled^3,4、加藤 有香子²、杢野 由明²、Donatini Fabrice^3,4、Gheereart Etienne^3,4、吉武 剛¹ (1.九大院総理工、2.産総研、3.CNRS, Inst. NEEL、4.Univ. Grenoble Alpes, Inst. NEEL)

キーワード：電子線誘起電流法、ダイヤモンドSBD

これまでにダイヤモンドショットキーバリアダイオード(SBD)において絶縁破壊電界3.1 MV/cmが報告されているが，これは理論値の半分以下である．これは主に，欠陥による漏れ電流増大か電界集中によるものと考えられている．デバイス応用の観点から，動作時の電界分布の視覚化および定量化は非常に重要である．したがって，本稿ではEBICによるダイヤモンドSBD逆方向特性における電界分布のその場観察を試みた．