[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-PB12-1] 透明酸化物被覆によるGaN系LEDの発光強度向上に関する研究

〇加畑 智基¹、岡田 真由子¹、堤 達哉¹、三好 実人¹、江川 孝志¹、大園 修司²、本田 和宏²、座間 秀昭² (1.名工大工、2.ULVAC)

キーワード：青色発光ダイオード

GaN系LEDの発光強度が、絶縁膜被覆により向上することが報告されている。本研究では、GaN系LEDのさらなる発光出力向上の可能性を検証するために、各種絶縁膜の構成とプロセス条件の影響を調べる実験に着手した。実験では、プラズマCVDによるSiO₂膜、ALD法によるAl₂O₃膜などを用いLEDの光強度増減について調べた。