[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-PB12-10] Reduction of Residual Carbon on GaN Grown using MOHVPE

〇zheng ye¹, Zheng Sun¹, Manato Deki¹, Yoshio Honda¹, Hiroshi Amano^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.A.R.C.)

Keywords:GaN

本研究では、有機金属（MO）原料起因の残留炭素を低減させる目的として、MOHVPE (Metal Organic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy)法を用いてアンドープGaNエピ膜を成長した。MOCVD装置に塩酸(HCl)ラインを導入することにより、塩基によってMO原料の分解を促進できると期待できる。本報告では、MO原料であるトリメチルガリウム(TMG)とHClのモル比を変化させたGaNのPL測定および結晶性について議論する。