[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-PB12-10] MOHVPE法を用いたGaN結晶の残留炭素の低減効果

〇叶 正¹、孫 政¹、出来 真斗¹、本田 善央¹、天野 浩^1,2 (1.名古屋大、2.赤﨑記念研究センター)

キーワード：窒化ガリウム

本研究では、有機金属（MO）原料起因の残留炭素を低減させる目的として、MOHVPE (Metal Organic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy)法を用いてアンドープGaNエピ膜を成長した。MOCVD装置に塩酸(HCl)ラインを導入することにより、塩基によってMO原料の分解を促進できると期待できる。本報告では、MO原料であるトリメチルガリウム(TMG)とHClのモル比を変化させたGaNのPL測定および結晶性について議論する。