[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-PB12-15] AlN grown on epitaxial graphene by RF-MBE

〇takahiro yamazaki¹, Taiki Hata¹, Yusuke Yamane¹, Yoshiaki Sekine², Humihiko Maeda², Hiroki Hibino², Miki Fujita³, Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NTT Basic Research Lab., 3.NIT, Ichinoseki Coll.)

Keywords:AlN,graphene,mobility

SiC熱分解法によって成長したグラフェン上に、RF－MBE法を用いて、AlNを成長した。成長温度による、AlN成長層の表面状態と、グラフェン中の電子移動度とシート電子濃度について測定した結果を報告する。