[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-PB12-17] RF-MBE法を用いたサファイア基板上へのGaN二段階成長における低温バッファー層の最適化

〇山根 悠介¹、畑 泰希¹、山﨑 隆弘¹、前田 理也¹、熊倉 一英²、山本 秀樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.NTT物性基礎研)

キーワード：MBE、GaN

RF-MBE法を用いたGaNエピタキシャル成長において、低温GaNバッファー層（LT-GaN）における窒素プラズマ強度や、成長レート、膜厚が高温で成長したGaN層の特性に及ぼす影響を調べた。その結果低温バッファー層を最適化することによって、1 μmのGaNの特性を大幅に向上させることに成功したので報告する。