2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月14日(月) 18:30 〜 20:30 PB12 (白鳥ホール)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-19] 微傾斜基板を用いたシングルドメイン立方晶GaNの成長と立方晶InNドット配列の形成

〇(M2)石井 健一1、折原 操1、八木 修平1、矢口 裕之1 (1.埼玉大院理工)

キーワード：シングルドメイン立方晶GaN