[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-PB12-21] MOMBEによるa面GaNの低角入射マイクロチャンネルエピタキシー
―― マスクエッジ上に発生する異常成長の抑制 ――

〇日下部 安宏¹、丸山 隆浩¹、成塚 重弥¹、清水 一男²、金田 省吾² (1.名城大理工、2.静岡大工)

キーワード：MOMBE、GaN、低角入射マイクロチャンネルエピタキシー