[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-PB12-8] 第一原理計算によるGaN(0001)表面へのGa₂Oの吸着に関する研究

〇河村 貴宏^1,2、北本 啓²、今出 完²、吉村 政志²、森 勇介²、森川 良忠² (1.三重大院工、2.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、気相成長、第一原理計算

Ga₂OをGaソースとして用いるGaNの気相成長法は排気口を詰まらせる固体副生成物が無く連続成長が可能である事からバルクGaN成長法として期待されている．その成長過程を詳細に理解するため，本研究では第一原理計算を用いてGa₂O分子がGaN(0001)表面へ吸着する過程のシミュレーションを行った．またGaN(0001)面上のGa₂O吸着サイトについても検討した．