[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-11] GaN基板上MOCVD n-GaNエピウエーハのトラップ分布

〇(M2)宮本 一輝¹、高林 洸太¹、徳田 豊¹ (1.愛知工大)

キーワード：GaN

MOCVD n-GaN で共通に観測されるE_c-0.21 eVトラップ (E1)、E_c-0.57 eVトラップ (E3)、E_v+0.86 eVトラップ (H1)の濃度分布を評価した。試料は、2インチ径のGaN基板上n-GaNである。ショットキーダイオードを作製し、DLTS、MCTS測定を行った。中心から半径方向のトラップ濃度分布は、E1は1.5x10¹³ cm^-3付近でほぼ均一であった。E3はウエーハ中心と外周で2.5x10¹⁴ cm^-3、その中間付近で~2x10¹² cm^-3という、大きな濃度変化をすることがわかった。H1トラップ濃度分布についても報告予定である。