[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-12] 炭素ドープMOCVD n-GaNのDLTS、MCTS測定

〇(M1)上田 聖悟¹、宮本 一輝¹、徳田 豊¹ (1.愛知工大)

キーワード：GaN、Carbon

DLTS、MCTS測定を用い、MOCVD n-GaNの主トラップである電子トラップE3(Ec-0.57 eV)と正孔トラップH1(Ev+0.86 eV)に対する炭素ドープの効果について検討した。 用いた試料は、n+-GaN基板上MOCVD成長Siドープn-GaN であり、炭素のドープ量は、3.6x10^15 cm-3、 5.5x10^15 cm-3、8.5x10^15 cm-3の３種類である。Ni/Auショットキーダイオードを作製した。E3トラップ濃度は、2.6x10^16~3.0x10^15 cm-3の範囲で、炭素ドープ量増加につれて減少した。それに対し、H1トラップ濃度は、3.8x10^14~9.7x10^15 cm-3 の範囲で増加することがわかった。