[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-5] 熱CVDによるGaN表面への直接グラフェン成長

〇榎本 学祥¹、松島 佑将¹、上野 和良^1,2 (1.芝浦工大、2.SITグリーンイノベーション研究センター)

キーワード：半導体

グラフェンは長い平均自由行程や高い電流密度耐性から、低抵抗で高信頼な電極・配線材料として注目されている。グラフェンの電子デバイス電極への応用では、LEDや次世代パワー半導体材料として注目されている窒化ガリウム(GaN)-LEDの透明電極やパワーデバイス用電極として検討されている。このようなデバイスには剥離グラフェンの転写が主に用いられているが、安定な特性を得るためには直接GaN表面に形成することが望ましい。本研究では、安定な電極形成法を目的とした熱CVD法によるGaN表面へのグラフェン直接形成を検討した。