[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-6] GaN表面CARE加工の反応メカニズムの第一原理計算による解析 ステップ/キンク部における水分子の解離吸着

〇稲垣 耕司¹、森川 良忠¹、山内 和人¹ (1.大阪大学)

キーワード：GaN、触媒援用加工法、解離吸着

水と白金触媒を用いたGaN表面のCARE加工では、原子レベルで平坦な面が得られている。本発表では、3c-GaN(111)表面のキンクサイトに水分子が解離吸着する過程を第一原理計算により解析し、初期段階での反応経路を調べた結果とともに、ステップサイトでの反応と比較し平坦化のメカニズムを検討した結果について報告する。また、白金触媒の役割を調べた結果についても報告する。