[14p-PB5-1~15] 12.2 評価・基礎物性

[14p-PB5-3] ゲートバイアス依存電界効果移動度測定と電流DLTS測定を組み合わせた有機TFTのトラップ評価

〇吉田 友紀¹、大田 貴士¹、赤沼 秀幸¹、徳田 豊¹、中村 健二²、加藤 哲弥²、片山 雅之² (1.愛知工大、2.(株)デンソー)

キーワード：DLTS、有機薄膜トランジスタ

有機TFTのトラップ密度を、100-300 Kでのゲートバイアス依存電界効果移動度の測定、ソース-ドレイン短絡MOS構造に対する温度掃引電流DLTS、及び300 K一定温度電流DLTS測定を組み合わせることにより、バンド端近傍から0.7 eVまでの広範囲のトラップの評価を行った。用いた試料は有機半導体としてC10-DNTTから成るトップコンタクトボトムゲート型TFT である。得られたエネルギー範囲0.05から0.70 eVでのトラップ分布は、二つの指数分布関数の和で表される。