[14p-PB6-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[14p-PB6-10] $\gamma$-ray irradiation for SiC MOSFETs from ROHM Co., Ltd.

〇Takahiro MAKINO¹, Shinobu ONODA¹, Mineo MIURA², Takeshi OHSHIMA¹ (1.JAEA, 2.ROHM Co., Ltd.)

Keywords:Silicon Carbide,Radiation Tolerance

SiC半導体デバイスの耐放射線性研究のための一般的知見を得ることを目的とし，ローム株式会社から市販されているSiC MOSFETとSi MOSFETに対してガンマ線照射を行い，照射後の各種電気特性の変動から，それぞれの耐放射線性の違いについて示し，それらの考察を行う．