[15a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-1A-1] AlN/Si(110)基板上SiC薄膜の高品質化

〇(M1)成田 舜基¹、目黒 一煕¹、中澤 日出樹¹ (1.弘前大)

キーワード：炭化ケイ素

AlN/Si(110)基板上にモノメチルシランを用いてSiC低温バッファ層を形成し、バッファ層上にレーザーアブレーション法を用いてSiC薄膜を作製した。レーザー強度200 mJ/pulseでSi(110)基板上に作製したAlN(0001)薄膜は回転ドメインを含まず、結晶性および平坦性が優れていることがわかった。また、このAlN層上に成長したSiC薄膜は3C-SiC(111)3×3再配列構造を示すことがわかった。