[15a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-1A-2] Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長機構

〇横山 大¹、フィリモノフ セルゲイ²、長澤 弘幸¹、吹留 博一¹、末光 眞希¹ (1.東北大通研、2.トムスク大)

キーワード：炭化珪素、ヘテロエピタキシー、薄膜