[15a-1A-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [15a-1A-3] Rate of advance of steps analysis by in situ observation of SiC solution growth interface with high-vacuum laser microscope

〇Aomi Onuma¹, Shingo Maruyama¹, Takeshi Mitani², Tomohisa Kato², Hajime Okumura², Yuji Matsumoto^1,3 (1.Tohokou Univ., 2.AIST, 3.JST-ALCA)

Keywords:SiC,laser microscope,solution growth

溶液法によるSiC結晶成長機構や欠陥形成機構の解明に向けて、SiC溶液成長界面を真空レーザー顕微鏡を用いてその場観察する研究を行った。SiC種結晶とNi-Si系溶液界面のその場観察し、成長挙動の観察に成功した。また観察像を解析した結果、ステップの前進速度は10 nm/sオーダーであり、高温または推定ステップ高さが低いステップほど前進速度が大きいことが確認された。