[15a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15a-1A-4] マクロステップバンチングが起こる条件でガスエッチングしたSiC表面のマクロテラス上に並んだ1 unit cell高さステップの発生機構

〇平井 和斗¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹、須田 淳¹ (1.京大院工)

キーワード：SiC、マクロステップ、ガスエッチング