[15a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-1A-6] 三フッ化塩素ガスによるSiC成膜装置の繰返しクリーニング法

〇塩田 耕平¹、水野 浩輔¹、松田 仁美¹、羽深 等¹、石田 夕起²、大野 俊之³ (1.横国大院工、2.産総研、3.FUPET)

キーワード：SiCエピ、クリーニング、CLF3

化学気相堆積(CVD)法によりSiC 薄膜を結晶成長させる際には、試料台などの装置内部品に堆積したSiC 堆積物を除去（クリーニング）する必要がある。そこで、三フッ化塩素(ClF3)ガスを用いて炭化珪素(SiC)結晶をエッチングする技術を適用し、SiC膜の成膜とクリーニングの繰り返しを試みた。成膜とクリーニングを複数回繰り返すことに成功したので、その詳細を報告する。