[15a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-1A-8] 三フッ化塩素を利用した4H-SiC(C面)のエピタキシャル膜におけるエッチング挙動

〇廣岡 亜純¹、福元 裕介¹、羽深 等¹、加藤 智久² (1.横国大院工、2.産総研)

キーワード：SiCエピ膜、ClF3、エッチング

4H炭化珪素（C面4H-SiC）基板上に形成されたSiCエピタキシャル膜に対して三フッ化塩素(ClF₃)ガスを用いたドライエッチング(100%、400～750℃)を行ったところ、そのエッチング速度は0.8～10μm/minであった。また、C面4H-SiC単結晶基板のエッチング速度との間に大きな差は確認されなかった。表面観察の結果、エピタキシャル膜の方が単結晶基板より荒れが生じにくい傾向があった。