[15a-1C-1~7] 13.5 デバイス／集積化技術

[15a-1C-2] 高濃度ドーピングしたシリコンを用いた2重量子ドットの電子輸送特性

〇山岡 裕¹、小田 俊理¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大)

キーワード：シリコン、量子ドット

高濃度に不純物ドーピングしたシリコンを用いたデバイスは作製しやすいという利点がある。しかし、不純物ポテンシャルによる揺らぎの影響を受けるため、明瞭な電子輸送特性の観測が困難であると考えられていた。近年私たちが改善してきた微細加工技術を高濃度ドーピングしたシリコンに適用することで、プロセスに起因するノイズを低減し、不純物ポテンシャルの揺らぎが実際に電子輸送特性に影響を与えているのかどうかを確認した。