2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-2H-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年9月15日(火) 09:30 〜 12:00 2H (222)

座長:中村 芳明(阪大)

09:30 〜 09:45

[15a-2H-1] 抵抗変化メモリReRAM用RFスパッタBaTiO3薄膜の作製と評価

〇橋本 修平1、杉江 敏幸1、張 子洋1、山下 馨1、野田 実1 (1.京工繊工芸)

キーワード：ReRAM、BaTiO3、酸素欠陥