2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-2H-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年9月15日(火) 09:30 〜 12:00 2H (222)

座長:中村 芳明(阪大)

10:30 〜 10:45

[15a-2H-5] 温度特性評価によるReRAMフィラメントの形状評価

〇(D)森山 拓洋1,2、岸田 悟1,2、木下 健太郎1,2 (1.鳥取大工、2.TiFREC)

キーワード:抵抗変化メモリ、NiO、温度特性