[15a-2H-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-2H-7] アモルファスSrTiO₃の欠陥構造と抵抗変化動作に対する電極金属の影響

〇福地 厚¹、中川 良祐¹、勝村 玲音¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：抵抗変化メモリ、ReRAM、アモルファス酸化物

アモルファス酸化物において安定な抵抗変化メモリ動作を得るための新たな手法の構築を目指し、素子構造及び物質の探索を行った。室温、Ar雰囲気下で製膜したアモルファスSrTiO₃では、Pt電極を用いた場合には±30 Vまで抵抗変化が一切発生しないのに対し、電極界面にTi(10 nm)層を挿入する事で、明確な抵抗変化動作が発現する事が観測された。アモルファスSrTiO₃では欠陥構造及び抵抗変化動作に対し、電極金属が顕著な影響を与える事が示された。